半導(dǎo)體領(lǐng)域中的薄膜沉積

    每個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個(gè)工藝，我們將整個(gè)制造過(guò)程分為八個(gè)步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-外延生長(zhǎng)-擴(kuò)散-離子注入。在刻蝕之后的一個(gè)環(huán)節(jié)，也是所謂的芯片制造中核心工藝之一“薄膜沉積”。在半導(dǎo)體行業(yè)中，薄膜常用于產(chǎn)生導(dǎo)電層或絕緣層、產(chǎn)生減反射膜提高吸光率、臨時(shí)阻擋刻蝕等作用，由于薄膜是芯片結(jié)構(gòu)的功能材料層，在芯片完成制造、封測(cè)等工序后會(huì)留存在芯片中，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。

    薄膜的特性與晶粒尺寸密切相關(guān)，膜硬度、電導(dǎo)率和膜應(yīng)力演化等均與晶粒尺寸相關(guān)，工藝難度非常大，薄膜生長(zhǎng)有晶核形成、聚集成束、形成連續(xù)的膜三個(gè)過(guò)程。由于半導(dǎo)體器件的高精度，薄膜通常使用薄膜沉積工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，晶圓表面的沉積物 會(huì)在晶圓表面形成一層連續(xù)密閉的薄膜。這層膜可以是導(dǎo)體、絕緣物質(zhì)或者半導(dǎo)體材料，如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及鎢等金屬。薄膜沉積按照原理不同可以分為物理工藝（PVD）和化學(xué)工藝（CVD）。在此步驟中我們經(jīng)常會(huì)將這些半導(dǎo)體材料加工成可使用的零件，如 PVD、CVD 等設(shè)備中，會(huì)用到氮化鋁陶瓷加熱器，其具有電絕緣性和優(yōu)異的導(dǎo)熱性，可使晶圓獲得穩(wěn)定、均勻的溫度。我們鈞杰陶瓷可根據(jù) PVD、CVD 設(shè)備的不同型號(hào)與工藝需求，提供來(lái)料加工來(lái)圖尺寸定制一體化解決方案，為半導(dǎo)體設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠支撐。    PVD(物理氣相沉積)PVD（物理氣相沉積）：在真空條件下，采用物理方法，將材料源（固體或液體） 表面 氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體（或等離子體）過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD主要方法包括真空蒸度、濺射鍍膜等， 不僅可沉積金屬膜、合金膜， 還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等，所涉及材料包括所有固體（C、Ta、W）、鹵化物和熱穩(wěn)定化合物。PVD的三種基本工藝是真空或熱蒸發(fā)、離子鍍和濺射：①熱(或真空)蒸發(fā)是一種古老的沉積工藝，用于在固體材料表面形成和生長(zhǎng)薄膜。② 濺射是PVD工藝中一個(gè)至關(guān)重要的工序。與蒸發(fā)不同，源不再是由熱產(chǎn)生的，而是由離子撞擊目標(biāo)產(chǎn)生的。③ 離子鍍是在惰性氣體放電系統(tǒng)中使用連續(xù)或間歇轟擊，通過(guò)原子大小的高能粒子沉積薄膜，以修正和調(diào)節(jié)沉積薄膜的性質(zhì)。

    CVD(化學(xué)氣相沉積)CVD（化學(xué)氣相沉積）：主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。CVD法可制作薄膜材料包括堿及堿土類以外的金屬（Ag、Au）、碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物、金屬 化合物、合金等。化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。